> Graveur ICP pour gravure profonde de Si

Rôle de l'appareil

   Le Plasmalab system 100 est un outils de gravure utilisant un plasma de haute densité configuré pour la gravure profonde du Silicium à l'aide de procédés cryogéniques ou Bosch.

Spécifications techniques

• Source plasma haute densité ICP de 380 mm (générateur 2MHz, 5kW)
• Électrode inférieure de 240 mm (13.56MHz, 600 W) avec
· accord d'impédance automatique et hauteur variable
• Refroidissement/Chauffage de l'électrode (-150° C à 400° C)
• Dispositif de serrage des échantillons et contact thermique à l'He
• Porte échantillon: de petits morceaux jusqu'aux gauffres de 200 mm
• Pression typique d'opération: 1- 100 mtorr
• Contrôlé sous Windows XP avec recettes programmables

Accessoires

• Controlleurs de débit (MFCs) rapides pour le procédé Bosch
• Gaz disponibles: SF6, C4F8, CF4, O2, H2
• Système de mesure de la profondeur de gravure par interferometrie Laser
• Chargement rapide des échantillons (loadlock)
• Nettoyage automatisé de la chambre

Exemples de procédés et de services disponibles

• Gravure anisotrope de tranchées de 300 um de profondeur pour la fabrication de dispositifs 'MEMs'
• Fabrication de 'via' à travers le silicium

Tarif Académique | Industriel :
95 $/h | 220 $/h