Rôle de l'appareil
Le Plasmalab system 100 est un outil de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour "Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition") qui permet le dépôt de multi-couches (Si, SiO2, SiN, SiC) sur différents substrats.
Spécifications techniques
• Electrodes en configuration parrallèle opérant à 13.56 MHz
• Électrodes de 240 mm avec accord d'impédance automatique
• Entrée de gas de type "douche" optimisée pour le dépôt PECVD
• Porte-échantillon: de petits morceaux jusqu'aux gauffres de 200 mm
• Pression typique d'opération : 1 - 300 mtorr
• Puissance d'opération : jusqu'à 600W
• Contrôlé sous Windows XP avec recettes programmables
Accessoires
• Basses températures de dépôt (typ. 200° C) et jusqu'à 300° C
• Gaz disponibles : SiH4, N2, NH3, N2O, CF4, CH4, Ar, O2
• Espacement des électrodes variable contrôlée par la position de l'électrode inférieure
• Mode 'mélange de fréquence' (500W, 50kHz-460kHz sur l'électrode inférieure) pour des dépôts avec contrôle de contraintes
• Source pour le dépôt de liquides en phase vapeur (comme le TEOS)
• Chargement rapide des échantillons (loadlock)
• Nettoyage de la chambre contrôlée par spectroscopie optique
• Possibilité d'utiliser le système pour la gravure ionique réactive (Reactive Ion Etching ou RIE)
Exemples de procédés et de services disponibles
• Dépôt de SiOxNy avec un indice de réfraction allant de 1.46 à 2.20 dépendemment du débit de gaz
• Dépôt de SiC et SiOxNy à faible contraintes en utilisant la modulation de fréquence
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Tarif Académique | Industriel :
95 $/h | 220 $/h
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