> Faisceau d’Ions Focalisé intégré avec un Microscopie Électronique à Balayage (FIB/MEB)

Modèle : Tescan LYRA 3 XMH

Faisceau d’Ions Focalisé (FIF) intégré avec un Microscope Électronique à Balayage (MEB) pour la préparation des échantillons MET

Système d’injection de gaz pour dépôt de couches minces (GIS) isolantes ou conductrices

Caractérisation par spectroscopie d’énergie dispersive (SED)

- Optiques MEB

• Canon d’électrons : - Émetteur Schottky à haute luminosité

- Tension d'accélération: 200 V à 30 kV

• Courant de sonde: 10 pA à 15 nA

• Résolution: en mode SE: 1.2 nm à 30 kV et 3.0 nm à 3 kV

en mode BSE: 2.0 nm à 30 kV

• Grossissement: 20x à 500,000x

- Optiques ioniques

• Canon d’ions : source de Galium liquide

• Résolution : < 5 nm à 30 kV / < 2.5 nm à 30 kV (au point de coïncidence MEB-FIB)

• Grossissement : 150x à 250,000x

• Angle entre MEB et FIB : 55°

• Tension d’accélération : 0.5 kV à 30 kV

• SED : Quantax de Bruker (détecteur X-Flash 6160) pour l’analyse des éléments

• Système d’injection de gaz (5-GIS de Orsayphysics) équipé de 5 précurseurs pour déposer des couches minces

• Nanomanipulateur OmniProbe 200 d’Oxford Instrument

• Préparation des échantillons pour le MET

• Observations par électrons secondaires (SEI) et en électrons rétrodiffusée (BSE)

• Détermination et quantification des éléments par SED

Observation de nanoparticules d'Or par Microscopie Électronique à Balayage haute résolution sur le Tescan LYRA 3 XMH