> Dépôt par couches atomiques (ALD)

Rôle de l'appareil

  Le système ALD thermique Veeco Savannah 100 permet de déposer des couches de HfO2, ZrO2, Al2O3, SnO2 et HfxZr1-xO2 avec une croissance conforme du film sur des structures avec un rapport d'aspect élevé. .

Spécifications techniques

• Taille de l'échantillon : gaufre jusqu'à 100 mm (4po) de diamètre
• Chauffage du substrat de 100°C à 300°C
• Contrôle précis de l'épaisseur du film, de l'échelle nanométrique à l'échelle micrométrique

Précurseurs disponibles:

• Tétrakis(diméthylamino)hafnium(IV) (TDMAH) pour l'oxyde de hafnium
• Triméthylaluminium (TMA) pour l'oxyde d'aluminium
• Tétrakis(diméthylamino)zirconium(IV) (TDMAZ) pour l'oxyde de zirconium
• Tétrakis(diméthylamido)étain(IV) (TDMASn) pour l'oxyde d'étain
• H2O et O3 peuvent tous le deux être utilisés comme oxydants réactifs.

Tarif Académique | Industriel :
60 $/h | 135 $/h