Le Plasmalab system 100 est un outil de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ») qui permet le dépôt de multi-couches (Si, SiO2, SiN, SiC) sur différents substrats.
• Electrodes en configuration parrallèle opérant à 13.56 MHz
• Électrodes de 240 mm avec accord d’impédance automatique
• Entrée de gas de type « douche » optimisée pour le dépôt PECVD
• Porte-échantillon: de petits morceaux jusqu’aux gauffres de 200 mm
• Pression typique d’opération : 1 – 300 mtorr
• Puissance d’opération : jusqu’à 600W
• Contrôlé sous Windows XP avec recettes programmables
• Basses températures de dépôt (typ. 200° C) et jusqu’à 300° C
• Gaz disponibles : SiH4, N2, NH3, N2O, CF4, CH4, Ar, O2
• Espacement des électrodes variable contrôlée par la position de l’électrode inférieure
• Mode ‘mélange de fréquence’ (500W, 50kHz-460kHz sur l’électrode inférieure) pour des dépôts avec contrôle de contraintes
• Source pour le dépôt de liquides en phase vapeur (comme le TEOS)
• Chargement rapide des échantillons (loadlock)
• Nettoyage de la chambre contrôlée par spectroscopie optique
• Possibilité d’utiliser le système pour la gravure ionique réactive (Reactive Ion Etching ou RIE)
• Dépôt de SiOxNy avec un indice de réfraction allant de 1.46 à 2.20 dépendemment du débit de gaz
• Dépôt de SiC et SiOxNy à faible contraintes en utilisant la modulation de fréquence
